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元器件可靠性基礎試驗

    本篇的內容不多,但是文中四圖的誘發(fā)機理和可能暴露的缺陷很值得學習。因此單拎了一篇。后面再針對各項試驗進行詳細介紹。
    元器件可靠性試驗是由一系列通用的基本試驗單元——可靠性基礎試驗組成,把組成各種可靠性試驗的基本的試驗叫做可靠性基礎試驗。
    可靠性基礎試驗如高溫貯存試驗、振動試驗和鹽霧試驗等,它們都是獨立的試驗,不同的組合可構成不同的可靠性試驗。因此,可靠性基礎試驗的結果將直接影響元器件可靠性試驗的結果。所以,這些通用的可靠性基礎試驗是做好元器件可靠性試驗的重要保證。
    元器件可靠性基礎試驗也是元器件基本性能的主要檢測手段。例如,在元器件研制過程中,為特定的目的經常獨立進行某些通用的可靠性基礎試驗;檢查器件封裝的密封性能需要單獨進行粗、細檢漏試驗;檢查封裝內部是否有可動多余物需要單獨進行粒子碰撞噪聲檢測試驗等。
    一般通用的可靠性基礎試驗可分為電+熱應力試驗、機械環(huán)境應力試驗、氣候環(huán)境應力試驗、與引線有關的試驗、與封裝有關的試驗、特殊分析和輻射試驗等七大類,可靠性基礎試驗具體類型、方法、目的及可能暴露的缺陷如下列4圖所示。

氣候應力試驗

封裝有關

機械環(huán)境應力

輻射應力

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