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晶圓級(jí)芯片可靠性測(cè)試后高電阻值異常如何詢(xún)失效點(diǎn)?

作者: 網(wǎng)絡(luò) 編輯: 網(wǎng)絡(luò) 來(lái)源: shengyiguangdian.cn 發(fā)布日期: 2020.07.08
    所謂的WLCSP晶圓級(jí)芯片尺寸封裝,全名Wafer Level Chip Scale Packaging,是指,直接將整片晶圓級(jí)封裝制程完后,再進(jìn)行切割,切完后封裝體的尺寸等于原來(lái)晶粒的大小,后續(xù)利用重分布層(RDL),可直接將I/O拉出陣列錫球與PCB做連接。
    也因隨著輕薄短小的需求,WLCSP成為封裝形式的主流,在WLCSP的封裝體概念下衍生出Fan-in,F(xiàn)an-out與Info等晶圓級(jí)封裝體。然而,此類(lèi)封裝形式,在可靠度驗(yàn)證后,常見(jiàn)的失效模式,如錫球界面、吃錫不良,上板后應(yīng)力匹配問(wèn)題。
所以,當(dāng)要確認(rèn)WLCSP形式的元件,在可靠度驗(yàn)證后的失效點(diǎn)時(shí),就更需要留意分析工具的時(shí)機(jī)點(diǎn)是否會(huì)有應(yīng)力產(chǎn)生,免得反而破壞掉「命案現(xiàn)場(chǎng)」(原有的失效點(diǎn)),導(dǎo)致更難確認(rèn)失效真因。
    以下這個(gè)案例,小編提出三步驟,告訴你失效分析工具該如何選擇?特別是什么時(shí)機(jī)點(diǎn),命案現(xiàn)場(chǎng)才能夠清除,快速讓失效點(diǎn)(defect)無(wú)所遁形。輕易找到失效真因。
    步驟 : 定位

    針對(duì)可靠度實(shí)驗(yàn)后產(chǎn)生高阻的WLCSP元件,利用Thermal EMMI故障點(diǎn)熱輻射傳導(dǎo)的相位差,定位到失效位置,是在Solder Ball 地方。

晶圓級(jí)芯片可靠性測(cè)試后高電阻值異常如何詢(xún)失效點(diǎn)?

    第二步驟 : 顯像

    接著,為了不破壞「命案現(xiàn)場(chǎng)」,因此使用3D X-ray進(jìn)行立體圖(左下圖)與斷面圖(右下圖)顯像,找到原來(lái)是錫球(Solder Ball)有損毀狀況。

晶圓級(jí)芯片可靠性測(cè)試后高電阻值異常如何詢(xún)失效點(diǎn)-1

    第三步驟 : 切片

    在已確認(rèn)Defect相對(duì)位置時(shí),此時(shí)即可移除「命案現(xiàn)場(chǎng)」,使用低應(yīng)力Plasma FIB工具,將失效斷面切出并分析真因,找到原來(lái)是Solder Ball Crack狀況,導(dǎo)致元件高阻值異常而失效。

晶圓級(jí)芯片可靠性測(cè)試后高電阻值異常如何詢(xún)失效點(diǎn)-2

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