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技術(shù)貼|電源模塊高低溫試驗常見問題

作者: salmon范 編輯: 瑞凱儀器 來源: shengyiguangdian.cn 發(fā)布日期: 2019.11.13
    電源作為電路系統(tǒng)的“心臟”,其重要性是顯而易見的。在選擇電源模塊時,除了要考慮輸入電壓范圍、額定功率、隔離耐壓、效率、紋波&噪聲等性能特性外,還需針對其高低溫試驗和降額設(shè)計進(jìn)行可靠性測試。
    電源可以說是電路系統(tǒng)的“心臟”,為各級電路提供“血液”,其重要性是顯而易見的。那么如何有效的選擇一款高性能高可靠性的電源模塊呢?我們首先會關(guān)注電源模塊的輸入電壓范圍、額定功率、隔離耐壓、效率、紋波&噪聲等輸入輸出特性,判斷是否滿足自己的使用要求,甚至參照數(shù)據(jù)手冊一一對照測試各項指標(biāo),判斷是否和宣稱的一致。但對于電源模塊的可靠性來說,做完這些還是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的,還有兩個方面是需要深挖測試的,那就是高低溫試驗和降額設(shè)計。

    一、高低溫試驗

    一般在不同的使用領(lǐng)域,對電源模塊的工作溫度范圍要求各異:

溫度范圍

    高低溫試驗是用來確定產(chǎn)品在低溫、高溫兩個極端氣候環(huán)境條件下的適應(yīng)性和一致性,檢查設(shè)計余量是否足夠。因為元器件的特性在低溫、高溫的條件下會發(fā)生一定的變化,性能參數(shù)具有溫度漂移特性。所以往往很多電源模塊在常溫測試通過,一旦拿到高低溫環(huán)境試驗就發(fā)現(xiàn)工作不正?;蛘咝阅軈?shù)明顯下降。同時通過長時間高溫老化可以使元器件的缺陷、焊接和裝配等生產(chǎn)過程中存在的隱患提前暴露出來。
電源模塊常見的低溫和高溫不良的現(xiàn)象有:
    1、工作振蕩,輸出電壓紋波和噪聲變大,頻率發(fā)生改變,嚴(yán)重的甚至輸出電壓跳變,模塊嘯叫。
    2、啟動不良,如啟動時輸出電壓升上波形有明顯掉溝,輸出電壓不穩(wěn)定,甚至模塊完全啟動失效。
    3、帶容性負(fù)載能力減弱,無法帶容性負(fù)載啟動。
    4、啟動時輸出電壓過沖幅度變大,超出規(guī)定范圍。
    5、重載或滿載工作時輸出電壓明顯降低。
    6、高溫老化損壞,模塊沒有輸出。
    所以,可靠性高的電源模塊必須保證在高低溫等極端條件下工作正常,滿足性能參數(shù)要求。

    二、降額設(shè)計

    降額設(shè)計是將元器件進(jìn)行降額使用,就是使電子元器件的工作應(yīng)力適當(dāng)?shù)陀谄湟?guī)定的額定值,降額使用的器件可延緩和減小其退化,提高了器件的可靠性,從而也提高了模塊的可靠性。電子元器件的故障率對電壓應(yīng)力、電流應(yīng)力和溫度應(yīng)力比較敏感,所以降額設(shè)計主要也是針對這三個方面。電子元器件的降額等級可以參考《國家軍用標(biāo)準(zhǔn)——元器件降額準(zhǔn)則GJB/Z35-93》,一般可分成三個降額等級: 
    (1)Ⅰ級降額:I 級降額是的降額,適用于設(shè)備故障將會危及安全,導(dǎo)致任務(wù)失敗和造成嚴(yán)重經(jīng)濟(jì)損失的情況。
    (2)Ⅱ級降額:工作應(yīng)力減小對元器件可靠性增長有明顯效益,適用于設(shè)備故障會使工作任務(wù)降級,或需支付不合理的維修費(fèi)用。 
    (3)Ⅲ級降額:Ⅲ級降額是小的降額,相對來說元器件成本也較低。適用于設(shè)備故障對工作任務(wù)的完成只有小的影響,或可迅速、經(jīng)濟(jì)地加以修復(fù)。
    下表所示是電源模塊常用的一些關(guān)鍵元器件的降額參數(shù)要求:
    對于電源模塊的應(yīng)力設(shè)計,重點(diǎn)關(guān)注場效應(yīng)管(MOS管)、二極管、變壓器、功率電感、電解電容、限流電阻等。保證全電壓范圍內(nèi)在穩(wěn)態(tài)、瞬態(tài)、短路等各種極限條件下都能有足夠的降額,以保障產(chǎn)品的可靠性。例如對于某Vds電壓為100V的MOS管,作為電源模塊的主功率開關(guān)管,實測其在輸入電壓下的各種狀態(tài)(如圖1~3所示),Vds=67.2V,降額因子0.672,滿足Ⅰ級降額,余量很充足。

圖1 穩(wěn)態(tài)工作時MOS管波形Vds_max=57.2V

圖1 穩(wěn)態(tài)工作時MOS管波形Vds_max=57.2V

圖2 輸出短路時MOS管波形Vds_max=67.2V

圖2 輸出短路時MOS管波形Vds_max=67.2V

圖3 起機(jī)瞬態(tài)時MOS管波形Vds_max=59V

圖3 起機(jī)瞬態(tài)時MOS管波形Vds_max=59V

    由于電源模塊越趨于小型化,功率密度相應(yīng)越來越高,電源模塊有關(guān)熱設(shè)計方面的問題尤其突出。特別是對使用有電解電容的電源模塊,高溫會使電解電容的電解液加速消耗,大大減少電解電容的壽命。高溫會使元器件材料加速老化,例如使得變壓器漆包線的絕緣特性降低,導(dǎo)致絕緣耐壓不良甚至造成匝間短路。因此好的熱設(shè)計不僅可延長電源模塊和其周圍元器件的使用壽命,還可使整個產(chǎn)品發(fā)熱均勻,減少故障的發(fā)生。
    電源模塊熱設(shè)計的基本任務(wù)是:通過熱設(shè)計在滿足性能要求的前提下盡可能減少模塊內(nèi)部產(chǎn)生的熱量,減少熱阻,選擇合理的冷卻方式。發(fā)熱元器件要盡可能使其分散布局。設(shè)計PCB板時要保證印制線的載流容量,印制線的寬度必須適于電流的傳導(dǎo)。對于大功率的貼片元器件,可以采用大面積敷銅箔的方式,以加大PCB的散熱面積。電源模塊內(nèi)部可通過填充導(dǎo)熱硅膠和樹脂等來降低模塊內(nèi)部元器件的溫升。對于體積較大的電源模塊,可以使用散熱片進(jìn)行散熱,增加對流和輻射的表面積從而大大地改善了電子器件的散熱效果。

    對于還沒灌封的電源模塊,可以采用紅外熱成像儀對整個電源模塊進(jìn)行“面”的測溫,紅外熱成像儀就是將物體發(fā)出的不可見紅外能量轉(zhuǎn)變?yōu)榭梢姷臒釄D像。熱圖像的上面的不同顏色代表被測物體的不同溫度。然后經(jīng)過分析,再采用熱電偶配合數(shù)據(jù)采集設(shè)備重點(diǎn)對MOS管,整流二極管,變壓器等溫升高的關(guān)鍵元器件進(jìn)行“點(diǎn)”的測溫。從面到點(diǎn),嚴(yán)格測試,保證元器件的溫度降額滿足要求。

圖4 某電源模塊常溫下的熱成像圖

圖4 某電源模塊常溫下的熱成像圖

    例如對于某電源模塊,常溫長時間工作后采用紅外熱成像儀測試其表面溫度如圖4所示,其中MOS管常溫不灌封實測的溫度為85.5℃,然后采用熱電偶配合數(shù)據(jù)采集儀對填充灌封膠的成品在高溫條件下測試其各種情況下的溫度,為97.2℃,對于溫度為175℃的MOS管,其溫度降額滿足Ⅰ級降額。
    所以除了基本性能參數(shù)測試,全面的高低溫試驗,電應(yīng)力和熱應(yīng)力測試,保證足夠的降額設(shè)計要求,并通過長時間的老化測試,才可以判斷電源模塊是否安全可靠。
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