GJB 360B-2009 電子及電氣元件試驗(yàn)方法 方法105 低氣壓試驗(yàn) （等效美軍標(biāo)MIL-STD-202F ）
    1、目的： 低氣壓試驗(yàn)箱是確定元件和材料在低氣壓下耐電擊穿能力；確定密封元件耐受氣壓差不破壞的能力；檢驗(yàn)低氣壓對元件工作特性的影響及低氣壓下的其他效應(yīng)；有時(shí)候可用于確定機(jī)電元件的耐久性。
    本方法是常溫條件下的低氣壓試驗(yàn)。若裝置元件的設(shè)備將在低溫低氣壓及高溫低氣壓的綜合條件下貯存和使用，而且能夠斷定高低溫和氣壓的綜合作用是造成失效的主要原因，常溫低氣壓試驗(yàn)不能使用時(shí)，則應(yīng)進(jìn)行溫度-氣壓綜合環(huán)境試驗(yàn)。
    2、低氣壓試驗(yàn)箱相關(guān)試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)
    1）GJB 150.2A-2009 《軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法 第二部分 低氣壓（高度）試驗(yàn)》
    2）GJB 360B-2009《電子及電氣元件試驗(yàn)方法 方法105低氣壓試驗(yàn)》（等效美軍標(biāo)MIL-STD-202F ）
    3）GJB 548B-2005《微電子器件試驗(yàn)方法和程序 方法1001 低氣壓（高空作業(yè)）》（等效美軍標(biāo)MIL-STD-883D)
    4）GB/T 2421-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn) 總則》
    5）GB/T 2423.21-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)M低氣壓試驗(yàn)方法》
    6）GB/T 2423.25-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Z/AM 低溫/低氣壓綜合試驗(yàn)方法》
    7）GB/T 2423.26-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Z/BM 高溫/低氣壓綜合試驗(yàn)方法》
    8）GB/T 2423.27-2005《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Z/AMD 高溫/低氣壓綜合試驗(yàn)訪求》
    9）GB/T 2424.15-2008《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程》
    10）MIL-STD-810F 《環(huán)境工程考慮與實(shí)驗(yàn)室試驗(yàn) 低氣壓（高度）試驗(yàn)》
    11） GB/T 1920-1980  標(biāo)準(zhǔn)大氣(30公里以下部分)（2015年10月已作廢）
    12）IEC 60068-2-41（1976）《基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 第二部分 試驗(yàn) 試驗(yàn)Z/BM 高溫/低氣壓試驗(yàn)》